BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導體碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,BASiC基本半導體IGBT模塊,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲一體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲一體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源領域。
基本半導體全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,Full SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC),空調熱泵驅動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅動器,高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。
基本半導體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓撲結構是一種應用為廣泛的多電平拓撲結構。近年來隨著電力電子技術在電力行業的發展,NPC三電平技術開始越來越多的應用到各個領域,包括光伏逆變器、風電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應用。NPC拓撲常用的有兩種結構,就是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是一種NPC1的改進型,這些年隨著器件的發展,ANPC也開始有一些適合的應用。
在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發等多重因素驅動下,工商業儲能的經濟性明顯提升。工商業儲能是用戶側儲能系統的主要類型之一,可以大化提升光伏自發自用率,降低工商業業主的電費開支,助力企業節能減排。
工商業儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期,復合增速有望持續飆升。
基本半導體混合IGBT單管在工商業儲能PCS變流器中的應用指南:
工商業儲能PCS變流器:
1、主要功率點位:35kW、50kW、70kW(35kW兩模塊并)、100kW(50kW模塊兩并)、125kW(62.5kW模塊兩并),功率點位的選擇主要取決于電池容量,都是標準值;
2、T型三電平是主流方案,出于競爭力考量,采用分立器件IGBT;T型三電平的開關頻率,目前主要在16-20kHz之間
3、35kW單機方案:TO-247封裝單管IGBT是現階段主力,橫管用650V 50AIGBT兩并聯,豎管用1200V 40A IGBT 3顆并聯或者1200V 25A IGBT 4顆并聯。
4、單機功率要躍遷到50kW和62.5kW,純硅IGBT的并聯個數太多,不符合客戶的利益要求,功率越往上走,客戶有很強的動力減少IGBT單管的數量,混合IGBT具有明顯的應用優勢,橫管豎管都使用混合IGBT,可以大限度壓低IGBT開通電阻,降低IGBT開關損耗,大限度發揮混管的性能。客戶將IGBT的開通關斷電阻分開,如果橫管跟豎管同時選擇混管,理論上可以將開通電阻調到0Ω,大大降級IGBT的損耗,這么一來,可以縮小混管跟全碳MSOFET在這種方案中的差距,大程度發揮混管的性能。1200V碳化硅MOSFET的方案現階段評估成本還太高,無法干過混管。混管在現有方案中具有較強的發展潛力和生命力。
橫管混合IGBT選型推薦:BGH50N65HF1,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,BGH75N65HF1,BGH75N65ZF1
豎管混合IGBT選型推薦:BGH40N120HF1,BGH40N120HS1,BGH75N120HF1,BGH75N120HS1
基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。該器件將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應用中可以替代傳統的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封),使IGBT的開關損耗大幅降低,適用于儲能(ESS)、車載充電器(OBC)、不間斷電源(UPS)、光伏組串逆變器等領域。