碳化硅肖特基二極管
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服務詳情介紹
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能。增碳硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界狀態場(3×106V/cm)和高傳熱因子(4.9W/cm·K)會使輸出功率半導體技術技術電子元器件錯誤率快一點,運轉訪問速度快一點,但是在設施的成本價、占地、體重等層面都到了有效降低。關鍵半導體技術技術增碳硅肖特基二級管,展示 這個行業規則芯片封裝,具良好的耐磨性和相當高的業務錯誤率。 成品競爭優勢
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