晶體管分立器件測試儀/光耦測試儀BW-3022A

BWDT-3022A

單晶體管直流電源性能測量儀

一、軟件基礎信息

（1）好產品牌稱及應用領域

軟件稱謂：BWDT-3022A 氯化鈉晶體管直流電壓因素測試測試儀器

產品的主要用途：擁有智能元器材靜止交流電數據考試業務需求

（2）物料信息查詢及型號氛圍

貨品信息

商品機(ji)型：BWDT-3022A

護膚(fu)產(chan)品英文(wen)名稱：晶胞管直(zhi)流電性(xing)能試驗儀；

物理防御(yu)樣式

主機箱尺寸圖：深 305*寬 280*高 120(mm)

主機箱體(ti)重：＜5Kg

機箱顏色圖片：灰黑色系(xi)

電(dian)大(da)環(huan)境(jing) 主機系統耗電(dian)：＜75W

條件的(de)標準：-20℃～60℃（吸收）、5℃～50℃（任務）

相對而言室內濕(shi)度：≯85%； 大氣氣溶膠氣壓：86Kpa～106Kpa

或許防護(hu)前(qian)提：無較高靜電，的(de)腐蝕或爆(bao)款性甲烷氣體，導電粉(fen)塵爆(bao)炸等

國家電網條件：AC220V、±10%、50Hz±1Hz

作業時：間隔；

二、食品介紹

       BWDT-3022A 型(xing)單(dan)晶體管(guan)(guan)(guan)(guan)整(zheng)流(liu)(liu)變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)規(gui)格(ge)(ge)設(she)置各(ge)種(zhong)(zhong)檢測(ce)設(she)備是專(zhuan)為(wei)(wei)各(ge)種(zhong)(zhong)測(ce)評(ping)網絡元(yuan)元(yuan)件(jian)的(de)(de)整(zheng)流(liu)(liu)變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)規(gui)格(ge)(ge)設(she)置而來設(she)計。 可各(ge)種(zhong)(zhong)測(ce)評(ping)三(san)級(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、MOS 場(chang)相(xiang)互作(zuo)(zuo)用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、J 型(xing)場(chang)相(xiang)互作(zuo)(zuo)用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、整(zheng)流(liu)(liu)電感、三(san)端(duan)肖(xiao)特基整(zheng)流(liu)(liu)器(qi)、三(san)端(duan) 電壓(ya)(ya)降電壓(ya)(ya)穩壓(ya)(ya)器(qi)和(he)基準(zhun)線器(qi) TL431，其(qi)較好的(de)(de)2英文畫質(zhi)軟件(jian)，要(yao)學會(hui)簡化了用(yong)戶組數對(dui) BWDT-3022A 的(de)(de)操 作(zuo)(zuo)和(he)編程(cheng)學習。各(ge)種(zhong)(zhong)測(ce)評(ping)狀態和(he)各(ge)種(zhong)(zhong)測(ce)評(ping)規(gui)格(ge)(ge)設(she)置多次快鍵調(diao)節，兼有入 EEPROM 中(zhong)。不需(xu)浮動隨便其(qi)它的(de)(de) 軟件(jian)，不能不運行方法技術培(pei)訓,就可運行方法該器(qi)材(cai). BWDT-3022A 為(wei)(wei)三(san)級(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)、MOS 場(chang)相(xiang)互作(zuo)(zuo)用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、J 型(xing)場(chang)相(xiang)互作(zuo)(zuo)用(yong)管(guan)(guan)(guan)(guan)、電感等帶(dai)來了 15 種(zhong)(zhong)最(zui)主 要(yao)規(gui)格(ge)(ge)設(she)置的(de)(de)各(ge)種(zhong)(zhong)測(ce)評(ping)，及其(qi)規(gui)格(ge)(ge)設(she)置”完成品(pin)/屬相(xiang)相(xiang)克(ke)格(ge)(ge)品(pin)”(OK/NO)各(ge)種(zhong)(zhong)測(ce)評(ping)，用(yong)戶組數利用(yong)機氣上的(de)(de)鍵盤按(an)鍵很非(fei)常(chang)(chang)容易的(de)(de)把 各(ge)種(zhong)(zhong)測(ce)評(ping)狀態設(she)置回去，并將規(gui)格(ge)(ge)設(she)置存(cun)進 EEPROM 中(zhong)，為(wei)(wei)了非(fei)常(chang)(chang)方便天以后非(fei)常(chang)(chang)方便且高速 的(de)(de)拉(la)開跳轉。

三、設備優點和缺點

※ 大熒屏幕(mu)液晶出現(xian),中文字幕(mu)工作的菜單欄,出現(xian)抽象化言簡意賅,工作的因素單純(chun)

※ 大(da)使(shi)用量 EEPROM 內存器,貯藏量可(ke)多到(dao) 2000 種設有材質數.

※ 任何可編序的 DUT 恒(heng)流(liu)源(yuan)和電流(liu)源(yuan)

※ 內置式繼電商矩陣的特(te)征值手動相(xiang)連接所要的測試英文三極管(guan),電壓值/直流電源和測試英文管(guan)路

※ 高壓(ya)電檢測(ce)電流辨別率 1uA,檢測(ce)電流能夠達到(dao) 1500V

※ 按順(shun)序”雙回(hui)路”式試驗解決了構件發冷和間(jian)斷的狀(zhuang)況

※ 軟件自復位效果

※ 產品的對于大建設(she)規模微進(jin)行i5cpu,當消(xiao)費(fei)者篩選了快速設(she)置好(hao)的參數時,在自(zi)己(ji)檢(jian)(jian)側(ce)時,按過檢(jian)(jian)側(ce) 旋鈕,使(shi)檢(jian)(jian)側(ce)機就開始完(wan)成特點檢(jian)(jian)側(ce),自(zi)己(ji)檢(jian)(jian)側(ce)過程中將在 BWDT-3022A 的檢(jian)(jian)側(ce)座上檢(jian)(jian)側(ce) DUT 擊穿(chuan),串入(ru)或誤接(jie)的情況,若(ruo)是 看到,就當即停下檢(jian)(jian)側(ce)。特點檢(jian)(jian)側(ce)主要是目的性是守護被測(ce)元器DUT 不(bu)因參數選錯而測(ce)壞

※ DUT 的功能性檢(jian)側(ce)在(zai) LCD 表明出被測(ce)器材/DUT 的類型(xing)、(晶體管(guan)(guan),MOS 場管(guan)(guan)等(deng)),引腳(jiao) 排例(P_XXX)測(ce)評方法方法(人工機械/自行)并仍在(zai)做好循環法測(ce)評方法,表明測(ce)評方法最終結果能否合理,并有聲版光 表明

※ 在(zai)試驗(yan)整流(liu)整流(liu)二極管時(shi),BWDT-3022A 能系統智能設別(bie)引腳工作表,并系統智能轉型單位矩陣(zhen)面板開(kai)關進 行(xing)參數值(zhi)試驗(yan).試驗(yan)后(hou)信(xin)息顯示對照引腳工作表號

※ 每種(zhong)工(gong)作上經濟(ji)模(mo)式

1、人(ren)(ren)工(gong)(gong)手(shou)(shou)動(dong)開(kai)啟(qi)(qi)機(ji)組(zu)基(ji)本(ben)模(mo)型：人(ren)(ren)工(gong)(gong)手(shou)(shou)動(dong)開(kai)啟(qi)(qi)機(ji)組(zu)檢(jian)(jian)(jian)查(cha)測量(liang)是(shi)(shi)(shi)否(fou) DUT 放(fang)于(yu)檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)座中,有則(ze)(ze)人(ren)(ren)工(gong)(gong)手(shou)(shou)動(dong)開(kai)啟(qi)(qi)機(ji)組(zu)是(shi)(shi)(shi)相似檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)程序,無則(ze)(ze)處(chu) 于(yu)相似檢(jian)(jian)(jian)查(cha)測量(liang)程序； 2、人(ren)(ren)工(gong)(gong)手(shou)(shou)動(dong)開(kai)啟(qi)(qi)機(ji)組(zu)基(ji)本(ben)模(mo)型：（最初了未檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)時液晶屏(ping)白(bai)屏(ping)屬正常人(ren)(ren)情況）;當檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)按(an)鈕(niu)旋鈕(niu)按(an)后人(ren)(ren)工(gong)(gong)手(shou)(shou)動(dong)開(kai)啟(qi)(qi)機(ji)組(zu)對測 試座中的 DUT 參與檢(jian)(jian)(jian)查(cha)測量(liang)檢(jian)(jian)(jian)驗(yan),長按(an)按(an)鈕(niu)旋鈕(niu)不松掉則(ze)(ze)是(shi)(shi)(shi)相似檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)程序,松掉按(an)鈕(niu)旋鈕(niu)則(ze)(ze)人(ren)(ren)工(gong)(gong)手(shou)(shou)動(dong)開(kai)啟(qi)(qi)機(ji)組(zu)終(zhong)止檢(jian)(jian)(jian)驗(yan)

四、測式玩法及參(can)數表注音

1、BJT/三級管(guan)

(1)Vbe:Ib:指(zhi)出測(ce)驗二極管 VBE 壓降時的讀取(qu)直流電壓.

(2)Vce:Bv:寫出測試(shi)圖(tu)片測試(shi)圖(tu)片二極(ji)管耐壓試(shi)驗 BVceo 時顯示的測試(shi)圖(tu)片測試(shi)圖(tu)片輸出功(gong)率.

(3)Vce:Ir:標識各種(zhong)(zhong)(zhong)各種(zhong)(zhong)(zhong)測試二(er)極管耐壓性 BVceo 時搜索的各種(zhong)(zhong)(zhong)各種(zhong)(zhong)(zhong)測試電流量.

(4)HEF:Ic:代表(biao)測評(ping)二極管交(jiao)流(liu)電縮放4的倍數的集(ji)探針電流(liu)量.

(5)HEF:Vce:透露(lu)軟(ruan)件測試晶體管(guan)直流電(dian)源調大公因(yin)數(shu)的(de)集電(dian)極材料電(dian)壓電(dian)流

(6)Vsat:Ib:認為測試英(ying)文晶體管達到飽和(he)狀態導通(tong)壓降時(shi)發送基極的電(dian)流(liu)大小.

(7)Vsat:Ic:標識(shi)測(ce)試測(ce)試晶體管是處于飽和狀態導通壓降(jiang)時讀取集探針的電流(liu)值.

(8)Vb:認為二極(ji)管的輸人壓(ya)降 VBE.

(9)VCEO:帶表二極(ji)管(guan)的(de)耐壓(ya)性(xing)(BVceo).

(10)HEF:覺得(de)晶體管的直流變(bian)壓(ya)器調(diao)小質數(shu)和合數(shu)(HEF).

(11)Vsat:覺(jue)得晶體管的達(da)到飽和狀態(tai)導通壓降(jiang)(VCEsat).

(12)TestModel:Auto :數字代(dai)表配置為手(shou)動認別(bie)檢查.

(13)TestModel:Manual :寫出設立為人工機械自測(ce).

2、MOSFET/場負效應管

(1)Vth:ID:認為測試儀場負效應管柵(zha)極開機啟動電(dian)阻值(Vgs(th))的填寫感應電(dian)流.

(2)Vds:Bv:表達測驗場(chang)邊際效應管抗壓(BVdss)時的測驗電流(liu)值.

(3)Vds:Ir:認為(wei)考(kao)試場負(fu)效應(ying)管耐沖擊(BVdss)時的考(kao)試工作電(dian)流.

(4)Rs:Vg:數字代表測試(shi)軟件(jian)場效用(yong)管(guan)路阻(Rson)時加在柵(zha)極的(de)輸出功(gong)率.

(5)Rs:ID:數字代表檢(jian)查(cha)儀場因素(su)鋼管內阻(Rson)時的檢(jian)查(cha)儀電壓.

(6)Vth:表(biao)明場(chang)效用(yong)管的(de)初(chu)始化直流(liu)電(dian)壓(Vgs(th)).

(7)Bvds:表現場(chang)相互作(zuo)用管的抗壓(BVdss).

(8)Rs:表(biao)述(shu)場現象管的(de)導通內阻值(Rdson)

(9)Igss:OG:表(biao)達測(ce)(ce)試儀(yi)場管(guan)輸入(ru)端 G 極(ji)的(de)電(dian)阻漏電(dian)特(te)征(zheng)參(can)數(shu)，該設(she)有數(shu)據信(xin)息(xi)為延遲時長(chang)數(shu)，利 用(yong)延遲重(zhong)設(she)時長(chang)后 VGS 相電(dian)壓(ya)的(de)保持良(liang)好量(liang)來測(ce)(ce)漏電(dian)特(te)征(zheng)參(can)數(shu)。

(10)Test:T:說檢驗(yan)或(huo)多(duo)或(huo)少次后就中斷檢驗(yan)。可設置好到 9999 次。

3、JFTE/結型場(chang)不確定性管

(1)Ids:Vd 寫出測試圖(tu)片結(jie)型場(chang)邊(bian)際效(xiao)應管(guan)漏極飽和(he)狀態(tai)額定(ding)電壓(Idss)加在 D 極和(he) S 極的額定(ding)電壓(Vds)

(2)Vds:Bv 標(biao)識檢查(cha)結型場(chang)不確定性管擊穿電(dian)阻值(BVdss)時的(de)檢查(cha)電(dian)阻值.

(3)Vr:Ir 標識測(ce)量結型場(chang)反(fan)應(ying)管耐沖(chong)擊(BVdss)時(shi)的測(ce)量交流電.

(4)Voff:Vd 提出測(ce)試(shi)軟(ruan)件結型場邊(bian)際效應管傳導相電壓電流(Vgs(off))加在 D 極和(he) S 極的(de)相電壓電流(Vds).

(5)Voff:Id 說明測(ce)式結型場(chang)滯(zhi)后效應管抑制電阻(zu)(Vgs(off))加在(zai) D 和 S 的電流(liu)大(da)小.

(6)Is:表示法結型場作(zuo)用管的漏源(yuan)飽和狀態直(zhi)流電(dian)(Idss),在 GS=0V 的標準下得(de)出.

(7)Bvds:結型場不確(que)定性管在(zai)關斷時的交流(liu)電(dian)壓擊穿交流(liu)電(dian)壓.

(8)Vof:結型場(chang)反(fan)應(ying)管的(de)阻擋電壓(ya)降(VGS(off)).

(9)gm:結型場(chang)滯后(hou)效應管的(de)跨導常數,即(ji)導通內阻值的(de)倒(dao)數.

4、三端穩壓 IC

(1)Vo:Vi 數字代表檢查三端穩(wen)壓時的導入檢查直流電(dian)壓.

(2)Vo:Vi 說明測驗三端穩壓時加在模擬輸出相對定位短(duan)路電流(liu)值(zhi)電流(liu)值(zhi)

(3)Vo:代表三端穩壓的讀(du)取電(dian)壓降(jiang)數(shu).

5、基點 IC

(1)Vz:Iz 代表公測儀(yi)標(biao)準 IC 時的設置公測儀(yi)瞬時電流.

(2)Vz:寫出基準點 IC 的不穩(wen)的電壓數

6、整流(liu)二(er)極,三端肖特基整流(liu)器

(1)VF:IF 表達出來測(ce)評三端(duan)肖特單(dan)向壓降(jiang) VF 的測(ce)評瞬時(shi)電流.

(2)Vr:Bv 透露測(ce)式三端肖(xiao)特倒置耐沖(chong)擊(VRRM)的(de)測(ce)式端電壓.

(3)Ir:Fu 表述(shu)測(ce)評(ping)時反方向漏(lou)電流技(ji)(ji)術主(zhu)要(yao)(yao)參數是要(yao)(yao)測(ce)，設(she)少于 0 為進入此項(xiang)技(ji)(ji)術主(zhu)要(yao)(yao)參數。

(4)Vr:Ir 顯(xian)示軟件測試(shi)方(fang)法三端(duan)肖特逆(ni)向耐壓(ya)試(shi)驗(VRRM)的軟件測試(shi)方(fang)法直流電壓(ya).

(5)VF1:寫(xie)出測(ce)式方法(fa)三(san)端肖(xiao)特同向壓降 1. (5)VF2:寫(xie)出測(ce)式方法(fa)三(san)端肖(xiao)特同向壓降

                                         BW-3022A考試技術應用招生指標：

1、 整流二極管(guan),三端(duan)肖特基:

耐壓(VRR)測(ce)試指(zhi)標

導(dao)通正向壓(ya)降(jiang)(VF)

2 、N型三極管

輸(shu)入正向壓(ya)降(jiang)(Vbe)

耐壓(Bvceo)測試指標

直流放大倍數(shu)(HEF)

轉換供大(da)于求導(dao)通(tong)壓(ya)降(Vsat)

3、P型三極(ji)管

輸入朝壓降(jiang)(Vbe)

耐(nai)壓(Bvceo)測試指標(biao)

直流放大(da)倍數(HEF)

4、N,P型MOS場效應(ying)管

輸人啟用(yong)工作電壓(VGS(th))

耐壓(Bvds)測(ce)試指標

導(dao)通內阻(zu)(Rson)

5、三端穩壓IC

傳輸電流值(Vo)

6、基(ji)準IC 431

模擬(ni)輸出電流值(Vo)

7、結型場效果管

漏(lou)極飽和(he)電壓(Idss)

耐壓(Bvds)測試指標

夾(jia)斷電壓(Vgs(off))

共源正向(xiang)跨(kua)導(gm)

8、縱向晶閘管調光硅

導通勾(gou)起電(dian)流(liu)值(IGT)

導通觸(chu)發電壓(VGT)

耐壓(ya)性(VDRM/VRRM)

通態壓降(VTM)

保持(chi)電流(liu)(IH)